Вчені з KAIST навчилися контролювати ріст 2D-напівпровідникових кристалів для чипів майбутнього
Researchers work out how to control 2D semiconductor growth for future chips
Дослідники з корейського KAIST та стартапу TDS Innovation розробили метод контролю точки зародження кристалів двовимірних напівпровідників на пластині, що може усунути перешкоду для масового виробництва чипів наступного покоління. За даними дослідження, опублікованого в Nature, новий процес травильного потоку забезпечив вихід монокристалів у 99,3% патернованих ділянок. У TDS Innovation розраховують на комерційне застосування технології приблизно з 2030 року, пов'язуючи це з попитом з боку ШІ та робототехніки.
Мовою оригіналу · EN
Researchers found a way to control where 2D semiconductor crystals nucleate, aiding future chip manufacturing.
Читати оригінал на The Register →
Чому в стрічці: Технологічний прорив у виробництві чипів майбутнього, відповідає інтересу до hardware/tech.