Пам'ять Samsung HBM4E успішно пройшла тестування для ГПУ Nvidia Rubin Ultra
Samsung HBM4E Passes Testing for NVIDIA's "Rubin Ultra" GPU
За даними TechPowerUp, нова пам'ять Samsung HBM4E пройшла тестування для майбутнього ШІ-прискорювача Nvidia «Rubin Ultra». Попереднє покоління HBM3E не відповідало вимогам Nvidia, тому компанія використовувала для неї лише пам'ять GDDR7. Один стек HBM4E забезпечує пропускну здатність до 3,6–4 ТБ/с, а в одному прискорювачі таких стеків може бути близько десятка. Наразі Samsung пропонує 12-шарові стеки по 48 ГБ, у перспективі — варіанти на 32 та 64 ГБ.
Мовою оригіналу · EN
Samsung's HBM4E memory reportedly passed testing for Nvidia's next-gen "Rubin Ultra" AI GPU.
Читати оригінал на TechPowerUp →
Чому в стрічці: Технологічна новина про апаратне забезпечення для ШІ-прискорювачів Nvidia.