Науковці розробили 2D-напівпровідник BCN для наступного покоління електроніки
2D semiconductor aims to turbocharge development of high-performance electronics
Дослідники представили в журналі Nature новий ультратонкий напівпровідник з бор-карбон-нітриду (BCN), здатний ефективно переносити позитивні заряди — «дірки». За оглядом науковців з Pohang University of Science and Technology, матеріал може усунути головну перешкоду для створення комплементарної 2D-електроніки, де електронопровідні та діркопровідні напівпровідники поєднуються для підвищення енергоефективності пристроїв. Відкриття описане в статті групи Tseng et al., опублікованій у Nature.
Мовою оригіналу · EN
Researchers report BCN, a new ultrathin p-type 2D semiconductor that efficiently transports positive charge carriers ('holes'), potentially filling a long-standing gap for complementary 2D…
Чому в стрічці: Хардсайєнс-новина з іменним інституційним джерелом (Nature) відповідає стійкому патерну читання науки користувачем.