Samsung: HBM-пам'ять займе майже 30% світового виробництва DRAM наступного року
Samsung Electronics says HBM to account for nearly 30% of industry DRAM capacity next year
Samsung Electronics заявила, що пам'ять HBM (High Bandwidth Memory), яка активно використовується для AI-чипів, становитиме майже 30% усіх світових потужностей виробництва DRAM наступного року, повідомляє Reuters. Це свідчить про стрімке зростання попиту на спеціалізовану пам'ять для систем штучного інтелекту.
Мовою оригіналу · EN
Samsung Electronics said HBM will account for nearly 30% of global DRAM production capacity next year, Reuters reported. The forecast reflects surging demand for high-bandwidth memory used in AI…
Читати оригінал на Reuters (через Google News) →
Чому в стрічці: Апаратна тема на стику технологій і AI-інфраструктури, близька до профілю читача.