Китайська CXMT запустила серійне виробництво пам'яті DRAM за технологією 5-го покоління
China's CXMT hits 12nm-class DRAM milestone
Китайський виробник пам'яті CXMT розпочав масове виробництво DRAM за новим техпроцесом G5 з півкроком активної області 11,95 нм, що досягається завдяки чотирикратній літографії. Компанія заявляє про перші чипи LPDDR5X ємністю 24 Гбіт, які вже на 50% перевищують ємність попередніх продуктів і використовуються у флагманських китайських смартфонах. Аналітики Tom's Hardware зазначають, що позначення «12-нм клас» є спрощенням, а без даних про вихід придатних чипів судити про реальну конкурентоспроможність із Micron, Samsung чи SK hynix зарано.
Мовою оригіналу · EN
China's CXMT has started mass production using its new G5 DRAM process, achieving an 11.95nm active-area half-pitch via quadruple-patterning lithography. The company's first G5 chips are 24Gb LPDDR5X…
Читати оригінал на Tom's Hardware →
Чому в стрічці: Технологічна новина про прогрес Китаю у виробництві пам'яті DRAM, дотична до апаратного напряму tech.