Китайський інститут IMECAS створив робочі 3-нм транзистори без EUV-літографії
China crafts working 3nm gate-all-around transistors without EUV
Інститут мікроелектроніки Академії наук Китаю (IMECAS) розробив експериментальний техпроцес виготовлення транзисторів GAA зі стековими нанолистами на основі імерсійної DUV-літографії, повідомляє DigiTimes. За словами головного інженера проєкту Є Тяньчуня, команда завершила «ранню інтеграцію процесу» та отримала робочі пристрої з прийнятним співвідношенням Ion/Ioff. Утім, ключові геометричні параметри не розкрито, тож порівняти досягнення з комерційними 3-нм техпроцесами TSMC, Samsung чи Intel поки неможливо — це радше підтвердження концепції, ніж готовий до виробництва процес.
Мовою оригіналу · EN
China's IMECAS institute has developed an experimental process for stacked-nanosheet gate-all-around transistors using DUV lithography instead of EUV, per DigiTimes. Chief engineer Ye Tianchun said…
Читати оригінал на Tom's Hardware →
Чому в стрічці: Прогрес Китаю в обхід EUV-обмежень цікавий для технологічної тематики, хоч це радше дослідницький, а не виробничий етап.